【摘要】该文采用四硼酸锂晶片制作了高频(1.1 GHz)声表面波滤波器，插入损耗3.7 dB，带宽3.8 MHz，带外抑制大于50 dB。阐述了器件的设计及工艺过程，对晶片表面处理、器件制作、Si02保护膜、器件的温度特性等进行了实验分析，并讨论了在器件设计中需考虑的因素。实验结果表明，采用干法刻蚀工艺能获得良好的叉指电极形貌。在器件表面加镀Si02保护膜能提高器件可靠性及温度稳定性。
【关键词】
《天津中德职业技术学院学报》 2015-11-11
《天津中德职业技术学院学报》 2015-11-11
《科技创业月刊》 2015-11-11
《宁波职业技术学院学报》 2015-11-11
《压电与声光》 2015-11-11
《大连交通大学学报》 2015-11-12
《压电与声光》 2015-11-12
《压电与声光》 2015-11-11
010-56259535
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