【摘要】以钽酸锂晶体作为晶体滤波器压电材料。通过优化离子束刻蚀工艺参数，采用间歇式离子束刻蚀方法，解决了刻蚀区微裂纹工艺问题，使厚度为60 t_'m钽酸锂晶片减薄至30 t_'m。利用反台阶结构晶片制作出了中心频率为70 MHz、3 dB带宽为1109 kHz的高基频宽带钽酸锂晶体滤波器。
【关键词】
《考试与评价》 2015-11-13
《压电与声光》 2015-11-13
《华北水利水电大学学报（自然科学版）》 2015-11-13
《纺织科技进展》 2015-11-13
《唐山学院学报》 2015-11-13
《考试与评价》 2015-11-13
《文化产业》 2015-11-13
《黑龙江冶金》 2015-11-13
010-56259535
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