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    Cu掺杂对TaN薄膜的电性能影响研究

    更新时间:2015-11-13

    《压电与声光》2014年3期
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    【摘要】采用反应直流磁控溅射法在镍锌铁氧体基片上制备Cu掺杂的TaN薄膜。通过调节氮流量，研究了不同氮流量下Cu掺杂对TaN薄膜电性能的影响。由XRD结果可见，TaN薄膜中掺杂Cu可在20=54。出现CU3N相，在20=57。出现CuN6相。

    【关键词】

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