中教数据库
我是读者 我是作者 期刊社 学术百科
期刊
期刊
论文
    中教数据库 > 压电与声光 > 文章详情

    Cu掺杂对TaN薄膜的电性能影响研究

    更新时间:2015-11-13

    《压电与声光》2014年3期
    收藏 下载 投稿 纸媒订阅

    【摘要】采用反应直流磁控溅射法在镍锌铁氧体基片上制备Cu掺杂的TaN薄膜。通过调节氮流量，研究了不同氮流量下Cu掺杂对TaN薄膜电性能的影响。由XRD结果可见，TaN薄膜中掺杂Cu可在20=54。出现CU3N相，在20=57。出现CuN6相。

    【关键词】

    92 2页 免费

    发表评论

    登录后发表评论 (已发布 0条)

    点亮你的头像 秀出你的观点

    0/500
    以上留言仅代表用户个人观点，不代表中教立场
    相关文献
    相关期刊

    《钢铁研究》

    《固体力学学报（英文版）》

    《光通信研究》

    《光通信技术》

    热门文献

    精选文献

    推荐期刊

    010-56259535

    关注中教数据库

    Copyright © 2013-2016 ZJHJ Corporation,All Rights Reserved

    京ICP备2021021570号-13

    京公网安备 11011102000866号