【摘要】研究了蓝宝石上非掺杂GaN，p型GaN和p-GaN／n-GaN 3种薄膜材料的声表面波特性。在p型GaN薄膜中观测到中心频率分别为255 MHz和460 MHz的Rayleigh模和Sezawa模，插入损耗为-42 dB。研究了退火工艺的影响。在N2中800 K温度下退火，Rayleigh模和Sezawa模的旁带抑制比分别提高了5.5 dB和10.2 dB。
【关键词】
《考试与评价》 2015-11-13
《压电与声光》 2015-11-13
《铝加工》 2015-11-13
《考试与评价》 2015-11-13
《现代制造技术与装备》 2015-11-13
《唐山学院学报》 2015-11-13
《唐山学院学报》 2015-11-13
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010-56259535
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