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磁控溅射氧化钒相变薄膜的电阻温度特性测量

更新时间:2015-11-13

【摘要】利用MS500-B超高真空磁控溅射镀膜机,分别采用氧化法和还原法在普通玻璃基底上制备了二氧化钒(V02)相变薄膜;并在20~80℃内往复变化时,利用XMT-100数字精密温度计和SX19 34数字四探针测试仪测量两类样品的电阻一温度特性曲线。结果表明,两类样品均具有热敏相变特性;氧化法制备薄膜的电阻为9.96~0. 06 k\Q,相变温度约为30℃;还原法制备薄膜的电阻为80. 3~7.4 k\Q,相变温度约为52℃。

【关键词】

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