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H3803掺杂对C022基磁介天线基板材料影响研究

更新时间:2015-11-13

【摘要】为研制适用于915 MHz RFID天线小型化应用需要的磁介基板材料,采用固相反应烧结法研究了H3 803掺杂对(Bao.s Sro.。)。C02 Fe24 041铁氧体微观形貌和磁介性能的影响。通过研究发现,H3 803掺杂能很好地促进C02Z铁氧体的低温烧结成相。同时,H3 803掺杂也有利于抑制C02Z铁氧体晶粒生长。随着H3 803掺杂量的增多,材料体系的磁导率持续下降,而介电常数先上升后下降。当掺杂H3 803的质量分数为4%,材料体系在915 MHz时可获得磁导率为2.45,介电常数为10. 41,磁损耗正切为0.057,介电损耗正切为0.005的综合磁介能。

【关键词】

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