【摘要】采用溶胶一凝胶法在Si(lll)和PtlTi／Si02lSi衬底上制备Ba4 Nd9.33 Th8 054( BNT)介质薄膜，采用X线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)研究了不同退火温度对薄膜结构和表面形貌的影响。结果表明当薄膜在950℃下退火2h后具有较好结晶质量的钨青铜结构，所得到的薄膜表面较为疏松；通过掺入质量分数为2%B2 03 -2Si02，可进一步将BNT薄膜的晶化温度降至900℃，且结构致密。介电性能测试表明，1 MHz频率下BNST薄膜的介电常数为45，介电损耗为1.1%，30 V偏压下漏电流密度为4.13×10-6 A／cm2。
【关键词】
《考试与评价》 2015-11-12
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《现代制造技术与装备》 2015-11-13
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010-56259535
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