【摘要】通过电介质物理和数学方法，对氮化硅陶瓷的极化机制进行了研究，将氮化硅介电常数看作是电子位移极化、离子位移极化及热离子极化3个部分的贡献总和，且成功解释了a-Si3 N4和p-Si3 N4间的介电常数差。研究发现，在微波条件下，介电损耗主要来源于弛豫损耗及电导损耗，分析了其在不同温度段的主要作用，且计算了介电常数温度系数。通过一些微观参数建立了氮化硅介电常数及介电损耗随温度的变化关系和影响因素模型，与实验值符合较好。
【关键词】
《考试与评价》 2015-11-12
《压电与声光》 2015-11-12
《考试与评价》 2015-11-12
《考试与评价》 2015-11-12
《文化产业》 2015-11-13
《纺织科技进展》 2015-11-13
《文化产业》 2015-11-13
《考试与评价》 2015-11-13
010-56259535
关注中教数据库
Copyright © 2013-2016 ZJHJ Corporation,All Rights Reserved
个人中心
退出
发表评论
登录后发表评论 (已发布 0条)点亮你的头像 秀出你的观点