【摘要】针对二维稀疏超声相控阵声场分布中的栅瓣和旁瓣问题，推导了二维稀疏超声相控阵的指向性公式，并利用发射阵列和接收阵列交错分布的方式消除栅瓣及抑制旁瓣，从而优化声场特性，优化后横向和侧向扫描范围由30°扩大到60°。建立了优化后阵列声场指向性与损坏阵元位置的函数关系式。声场指向性仿真结果表明，距阵列中心越近的阵元损坏时旁瓣升高越多，单个阵元损坏导致一级旁瓣最多升高20 dB，主瓣下降约6 dB，且与损坏阵元位置无关；相同位置的发射阵列和接收阵列阵元同时损坏时，对声场特性影响达到最大。
【关键词】
《考试与评价》 2015-11-12
《考试与评价》 2015-11-12
《考试与评价》 2015-11-12
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《考试与评价》 2015-11-13
《考试与评价》 2015-11-13
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《纺织科技进展》 2015-11-13
010-56259535
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