【摘要】直流自我偏压作为高密度射频(RF)等离子体刻蚀工艺中的重要电学参数，反映出具有高能量的离子对待刻蚀晶片的轰击效果，后者决定了刻蚀工艺的各向异性、刻蚀速率、选择比及形貌特征等工艺结果。该文以HBr作为刻蚀气体，采用电感耦合等离子体(ICP)金属刻蚀系统针对刻蚀工艺中的直流自我偏压进行研究。研究中分别改变离子源功率、衬底偏压功率、刻蚀压力及HBr气体流量，观察直流自我偏压及其峰值的相应变化规律。实验结果表明，随着离子源功率的升高，直流自我偏压将会轻度降低；升高偏压功率则会显著提升直流自我偏压。刻蚀压力与直流自我偏压呈正比例关系，HBr气体流量的变化及待刻蚀晶片的材质对直流自我偏压无显著影响。
【关键词】
《压电与声光》 2015-11-12
《吉林农业》 2015-11-12
《吉林农业》 2015-11-12
《吉林农业》 2015-11-12
《纺织科技进展》 2015-11-13
《纺织科技进展》 2015-11-13
《文化产业》 2015-11-13
《唐山学院学报》 2015-11-13
010-56259535
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