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流延法制备纳米Si02压电陶瓷的结构及性能

更新时间:2015-11-12

【摘要】采用流延法使用无定型纳米Si02原料粉制备Si02压电陶瓷,XRD和SEM结果表明,烧结温度为850℃和950℃时未发生晶化反应,当烧结温度为1 050℃时生成a一方石英,晶粒尺寸随烧结温度的升高而长大,不同烧结温度下压电常数分别为1.1 pClN,1.2 pClN和1.4 pClN,烧结温度越高介电常数越大,机械品质因数越大,而介电损耗与烧结温度无关。

【关键词】

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