【摘要】运用电路仿真研究了单粒子瞬态脉冲效应对铁电存储单元存储特性的影响。结合单粒子对MOS器件的影响，用电流模拟单粒子对存储单元的影响且进行仿真分析。仿真结果表明脉冲电流峰值越高，时间越长，铁电存储单元越容易翻转。经分析得出了铁电电容翻转是由瞬态电流脉冲产生的单位面积电荷量决定，最后解释了翻转的原因。
【关键词】
《压电与声光》 2015-11-12
《压电与声光》 2015-11-12
《压电与声光》 2015-11-12
《吉林农业》 2015-11-12
《考试与评价》 2015-11-12
《压电与声光》 2015-11-12
《华北水利水电大学学报（自然科学版）》 2015-11-13
《河南理工大学学报（社会科学版）》 2015-11-13
010-56259535
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