【摘要】以有限元法为基础，对高阶兰姆波型微机电系统( MEMS)声表面波谐振器进行了仿真。研究了压电材料及其厚度、Si基底厚度对高阶兰姆波声速的影响规律，结果表明，AIN压电薄膜器件的高阶兰姆波的声速比Zn0和LiNb03器件更大。压电材料较薄时传播兰姆波，太厚时则传播瑞利波。高阶兰姆波的声速随着硅基底厚度增加而逐渐降低，并趋于一个稳定值。在此基础上，提出了在电极上方加载一层压电薄膜来提高兰姆波声速的器件结构，仿真结果表明，通过增加一层AIN薄膜，可提高高阶兰姆波的声速，进而提高器件的谐振频率。
【关键词】
《河南理工大学学报（自然科学版）》 2015-11-12
《大连交通大学学报》 2015-11-12
《大连交通大学学报》 2015-11-12
《河南理工大学学报（自然科学版）》 2015-11-12
《考试与评价》 2015-11-12
《压电与声光》 2015-11-12
《考试与评价》 2015-11-12
《考试与评价》 2015-11-12
010-56259535
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