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Al2 03衬底上制备非晶碳薄膜及其场发射特性研究

更新时间:2015-11-12

【摘要】在Al2 03陶瓷衬底上用直流磁控溅射技术沉积过渡层Mo,再利用微波等离子体化学沉积系统在Mo过渡层上制备非晶碳薄膜,利用X线衍射(XRD)、拉曼(Raman)和电镜扫描(SEM)技术分析了薄膜的结构和表面形貌,测试了所制备样品的场发射及其发光特性,研究了薄膜的场发射特性。结果表明,所制备的薄膜为非晶碳和M02C的复合薄膜。所制备的薄膜具有较好的场发射特性,开启场强为0.74 V/tim,1.8 V/tim的场强下发射电流密度达到6 800 t.A/cm2,且发光点分布均匀,利用迭代法计算了所制备薄膜的有效场发射面积和其功函数。

【关键词】

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