【摘要】随着微电子加工工艺技术的发展，集成电路对静电越来越敏感。设计合理有效的静电放电( ESD)保护器件显得日趋重要。传统的“手动计算十流片验证”的设计方法费时耗力。该文基于栅极接地的NMOS(GGN-MOS)器件，以Sentaurus为仿真平台，建立器件模型，根据ESD防护能力的需求，计算出GGNMOS的设计参数，设计出防护指标达到人体模型(HBM)4.5 kV的管子。结果表明，该方法简单有效，能缩短设计周期，是防护器件设计的一种优秀方法。
【关键词】
《中外医疗》 2015-11-11
《华侨大学学报（哲学社会科学版）》 2015-11-11
《压电与声光》 2015-11-11
《中外医疗》 2015-11-11
《压电与声光》 2015-11-13
《河南理工大学学报（自然科学版）》 2015-11-12
《压电与声光》 2015-11-13
《广州大学学报（社会科学版）》 2015-11-13
010-56259535
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