【摘要】采用固相烧结法制备了Nao.s Bi4.5 Ti4_2。Nb。TaZ 0is( NBTNT-x,O≤z≤0.06)铋层状压电陶瓷材料,研究了不同量Nb、Ta掺入对Nao.。Bi4.。Ti4 0is陶瓷结构和电性能的影响。结果表明,所有样品均为单一的铋层状结构。适量Nb,Ta掺入能细化陶瓷晶粒,提高其致密性,降低电导率盯和介电损耗tan艿;同时,居里温度Tc随Nb、Ta掺入量的增加而降低,但均高于610℃;当x=0. 02时,陶瓷样品电性能最佳,即压电常数d33 =17 pClN,机电耦合常数愚,一4.19%,k。=18.10%,品质因数Qm =3 527,剩佘极化强度P,一10. so r_LC/crri2。
【关键词】
《天津中德职业技术学院学报》 2015-11-11
《天津中德职业技术学院学报》 2015-11-11
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