【摘要】基于化学水浴沉积法以硫脲为硫源，醋酸镉为镉源，氨水作为缓冲剂，制备太阳能电池用半导体薄膜硫化镉(CdS)，研究不同的退火温度和是否涂敷CdCl2溶液对CdS薄膜的影响。采用X线衍射仪、电子扫描电镜和紫外／可见光分光光度计研究了不同退火工艺对硫化镉薄膜的结构、形貌及光学特性的影响。实验表明，悬涂CdCl2溶液退火处理可明显改善CdS薄膜的结晶及其光学性质，最佳退火温度为400℃，退火时间为60 min。
【关键词】
《天津中德职业技术学院学报》 2015-11-11
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《河南理工大学学报（自然科学版）》 2015-11-13
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010-56259535
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