【摘要】采用中频磁控反应溅射，提出了在TC4钛合金基片上制备c轴取向AIN薄膜的两步法工艺。利用扫描电镜分析(SEM)、X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面及断面形貌、晶体结构、表面粗糙度进行了表征。研究结果表明，利用该文提出的两步法工艺可在TC4钛合金衬底上制备出表面粗糙度为2.3 nm、c轴XRD摇摆曲线半高宽为4.10的AIN薄膜，满足制作压电微机电系统(MEMS)器件或薄膜声表面波(SAW)和体声波器件的需求。
【关键词】
《压电与声光》 2015-11-11
《中外医疗》 2015-11-11
《天津中德职业技术学院学报》 2015-11-11
《天津中德职业技术学院学报》 2015-11-11
《纺织科技进展》 2015-11-13
《河南理工大学学报（自然科学版）》 2015-11-12
《考试与评价》 2015-11-13
《考试与评价》 2015-11-12
010-56259535
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