【摘要】采用流延法制备了长×宽为125 mmX125 mm，厚最薄为50 t_'m的铁氧体电磁屏蔽片。研究了电磁屏蔽片屏蔽近场噪声源能力与材料磁谱间的关系，同时研究了材料中的Cu0含量及助烧剂Bi2 03的添加量对材料磁谱的影响。结果表明，电磁屏蔽片屏蔽近场噪声源的能力与材料在13. 56 MHz下的磁导率口7及品质因数(Q)相关。Cu0含量过大，材料的磁谱特性会变差；Bi2 03的添加量对材料的高频段磁谱性能影响不大。
【关键词】
《天津中德职业技术学院学报》 2015-11-11
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010-56259535
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